A Rashba paraméter hangolása BiTeBr mintákban ionikus-folyadék kapuzással
A BiTeBr (és a BiTeX anyag család) sok figyelmet kap napjainkban,
mivel nem centroszimmetrikus poláros vezető, óriási Rashba spin-pálya kölcsönhatással [1][2][3].
BiTeBr-ben nem reciprokális transzport figyelhető meg,
ami a Rashba kölcsönhatására alakul ki,
és az elméleti leírás alapján a töltéshordozó-sűrűség változtatásával ez is változik [1].
A mai napig a töltés hordozó sűrűség változtatásáról senki nem számolt be,
így a Rashba paraméter töltéshordozó-sűrűség függése egy mintán még nincs igazolva kísérletileg.
Olyan vékony BiTeBr-en alapuló heterostruktúrákat hoztam létre,
amelyeken ionikus-folyadék kapuzással tudtam állítani a töltéshordozó-sűrűséget.
Ebben a munkában bemutatom hogy sikeresen tudom kapuzni a BiTeBr-ből létrehozott heterostruktúrákat,
és ezzel hangolni tudom a Rashba paramétert.
[1] Ideue, T. et al. Bulk rectification effect in a polar semiconductor. Nature Physics 13, 578–583 (Mar. 6, 2017).
[2] Fiedler, S. et al. Termination-dependent surface properties in the giant-Rashba semiconductors BiTeX (X = Cl, Br, I). Physical Review B 92 (Dec. 15, 2015).
[3] Eremeev, S. V., Nechaev, I. A. & Chulkov, E. V. 2D and 3D topological phases in BiTeX compounds. Physical Review B 96 (Oct. 24, 2017).
