Különböző vastagságú InP szakaszok karakterizációja InAs nanopálcákban
Napjainkban az InAs és InSb félvezető nanopálcák a kvantumelektronika egyik legintenzívebben kutatott eszközei közé tartoznak. Népszerűségüket többek között olyan különleges tulajdonságiaknak köszönhetik, mint például az erős spin-pálya kölcsönhatás, vagy szupravezető elektródák csatolásának lehetősége. Ezen nanopálcák egyik speciális típusa az olyan InAs-ből és InP-ból felépülő heterostruktúra, melyekben az InP csupán néhány atomsor vastagságú, az InAs-re epitaxiálisan növesztett szakaszt tesznek ki. A vékony InP szakaszok – az InP-nak az InAs-hez viszonított nagyobb tiltott sávja miatt – potenciálgátként, illetve alagútátmenetként viselkednek az InAs vezetési sávjában propagáló elektronok számára. A dolgozat célja különböző vastagságú InP szakaszok potenciálgátjának karakterizálása transzportmérésekkel, ezeket összehasonlító statisztika készítése, illetve a transzport módjának meghatározása a szakaszok elektromos karakterisztikája alapján. A jól meghatározott potenciálgáttal és vastagsággal rendelkező InP szakaszok, amelyek tervezhető alagútátmenetként szolgálhatnak az InAs nanopálcákban, nagyhatásfokú Cooper pár szétválasztást tenne lehetővé a későbbiekben és alkalmazható lenne a kvantumelektronikai áramkörökben.
