Kétdimenziós nanoáramkörök vizsgálata nyomás alatt
Kétdimenziós van der Waals heteroszerkezetek az anyagtudomány egy teljesen új fejezetét nyitották meg, ahol atomi rétegenként tudjuk az anyag felépítését kontrollálni, korábban elképzelhetetlennek hitt kombinációkban. A rétegszerkezetek elektromos tulajdonságai alapvetően a felépítő rétegek közti csatolástól függ. Ennek a csatolásnak az erőssége szoros kapcsolatban áll a rétegek közti távolsággal, ami pedig befolyásolható hidrosztatikai nyomással. Hidrosztatikai nyomást makroszkopikus mintákon széles körben alkalmaznak, például kvantum fázisátalakulások tanulmányozására, de ilyen tanulmányok van der Waals heteroszerkezetekből felépült nanoáramkörökön komoly kihívást jelent. Ebben a dolgozatban egy olyan nagynyomású mérőrendszer tovább fejlesztését mutatom meg, ami alkalmas szokásos SiO/SiO2 hordozóra épített nanoáramkörök transzport vizsgálatára szobahőmérséklettől kriogenikus hőmérsékletig. Ismertetem a kifejlesztett mérőrendszerrel végzett első sikeres kísérleteket, melyekben nagy spin-pálya kölcsönhatással bíró félvezető kétdimenziós kristályok és grafén kölcsönhatását vizsgáltuk gyenge lokalizációs mérések segítségével.
